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根據戰略發展規劃，綜合考慮公司未來核心技術研發的參與情況與業務發展貢獻等實際情況，經管理層研究，其現對核心技術人員進行調整。

8月25日，中微半導體設備(上海)股份有限公司 (以下簡稱“中微公司”)發布公告稱，根據戰略發展規劃，綜合考慮公司未來核心技術研發的參與情況與業務發展貢獻等實際情況，經管理層研究，其現對核心技術人員進行調整。新增叢海、陶珩、姜勇、陳煌琳、劉志強、何偉業為公司核心技術人員，原核心技術人員杜志游、麥仕義、李天笑因工作職責調整，不再認定為公司核心技術人員，但仍繼續在公司任職。

中微公司稱，其與杜志游、麥仕義、李天笑簽署分別簽署了《保密協議》及《雇員保密 信息和發明協議》，對各方的權利義務進行了約定。截至本公告披露日，該公司未發現上述人員有違反上述相關協議的情形。不過，據《國際電子商情》查閱公告獲悉，中微公司原核心技術人員杜志游、麥仕義、李天笑均為美國國籍，這或許成為被剔除“核心技術人員”名單之外的重要原因，而新增這部分人員國籍主要是中國和新加坡國籍。

該公司指出，核心技術人員職務調整不會影響公司擁有的核心技術及其專利權屬 完整性，亦不會對公司的核心競爭力、研發技術及持續經營能力產生實質性影響。該公司本次新增認定核心技術人員，有助于公司各項研發項目有序高效推進， 并支持公司未來核心產品的技術升級，推動公司多產品布局的戰略實現。

上半年歸母凈利潤同比增長114.4%

根據同日發布的年報顯示，2023年1-6月，中微公司實現營收25.27億元，同比增長28.13%;歸母凈利潤10.03億元，較上年同期約5.35億增長114.4%。其中，刻蝕設備收入為17.22億元，較去年同期增長32.53%;MoCVD設備收入為2.99億元，同比增長為24.11%。

中微公司表示，其累計已有約3700個等離子體刻蝕和化學薄膜的反應臺，在中國本土、亞洲和歐洲的 100 多條生產線，全面實現了量產和大量重復性銷售，在過去的十年中在線總臺數的年平均增長超過35%。

中微公司董事長兼總經理尹志堯表示，14納米以下的微觀結構多靠等離子體刻蝕和薄膜沉積的組合一多重模板技術加工出來，同時由于存儲器件的芯片結構從兩維到三維結構的轉變，等離子體刻蝕和薄膜沉積更成為最關鍵及需要最多的工藝步驟。特別是等離子體刻蝕設備是制程步驟最多、工藝過程開發難度最高、市場增長最快的設備，占半導體前道設備總市場的約 22%。中微公司開發的導體化學薄膜沉積設備LPCVD和外延設備EPI也是最關鍵的設備品類。此外，中微通過投資布局了集成電路第四大設備市場一光學檢測設備。公司另一類主打產品MOCVD設備，是三五族化合物半導體制造的最關鍵的核心設備，該高端外延設備的應用從照明，向大面積顯示屏、功率器件、微顯示等新興領域迅速擴展，市場領域擴展迅猛。

此外，該公司計劃進一步完善先進CVD和ALD設備產品線，以提供先進導體CVD/ALD更多品類解決方案。目前，其還在籌劃開發用于更先進微觀器件制程的薄膜設備和刻蝕設備。中微推出的一系列微觀加工的設備產品已在性能和性價比上都進入國際三強行列，部分產品甚至進入二強和一強地位。

中微公司表示，對設備企業來說單一的產品，單一的產業布局，面對行業發展周期，是很難保證持續穩定發展的。中微公司堅持“三維發展”戰略，在持續聚焦集成電路關鍵設備領域、繼續擴展幾個泛半導體關鍵設備領域的基礎上，不斷探索公司核心技術在其他新興領域和國計民生上的發展機會。

鑒于此，中微公司開發更多有競爭力的設備產品，同時通過投資和并購布局，實現外延更快的橫向發展。比如該公司積極謹慎布局產業鏈上下游重點領域，參股投資的天岳先進、拓荊科技、德龍激光、晶升股份完成科創板上市。僅今年上半年，該公司完成睿勵儀器的部分股權受讓，進一步鞏固產業鏈協同效應，完善公司業務布局。

人均年化營收達350萬元，

研發人員占比達43.39%

在研發投入方面，上半年，中微公司研發投入費用為4.6億元，占營收的比重為18.22%;累計申請專利2359項，其中發明專利1991項，占比超過84%。

報告顯示，中微公司全球員工數量為1461人，人均年化營收達350萬元。其中，研發人員數量為634人，占比達43.39%，在研發人員中，碩士、博士研究生占比達47.64%，

轉自國際電子商情，侵刪