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8月9日-11日，以“芯聯世界 錫創未來”為主題的2023集成電路（無錫）創新發展大會在無錫隆重召開。

此次大會由無錫市人民政府、江蘇省工業和信息化廳共同舉辦，緊扣“一會一展”，1場開幕式、1場展覽展示、10場系列活動和15場生態圈活動，集聚國內外集成電路領域專家智庫、產業龍頭和配套生態企業，突出“專業化、市場化、品牌化”特色，為企業搭建對接交流、開放鏈接、合作共贏的平臺。

9日上午，在大會開幕式上，匯聚了集成電路設計、制造、封測、裝備材料全產業鏈領域，國內外領軍學者、知名企業家、協會組織代表等近500位重量級嘉賓齊聚會場，圍繞集成電路領域科技前沿技術、產業動態等話題展開深入交流。

江蘇省副省長胡廣杰、無錫市市長趙建軍、工業和信息化部電子信息司副司長楊旭東發表大會致辭，充分表達了對江蘇省和無錫市發展集成電路產業的肯定、期望以及下一步的發展目標與規劃。

在主旨演講環節，中國工程院許居衍、陳左寧等院士、諾貝爾獎得主康斯坦丁教授以及來自產業界的中國電科首席科學家柳濱、高通公司全球高級副總裁錢堃等多位重磅嘉賓圍繞Chiplet、集成電路裝備與材料產業、5G+AI等行業關鍵技術和產業未來發展方向分享了真知灼見。

多位重磅嘉賓主旨發言

此外，無錫國家“芯火”雙創基地汽車芯片可靠性檢測平臺、總規模50億元的無錫市集成電路產業專項基金、江蘇省（無錫）集成電路產業融合集群等一批國家級平臺、專項基金、集群試點在開幕式現場正式揭牌。

與此同時，30多個重點產業項目進行了集中簽約，簽約總金額超200億元，全面支撐集成電路產業高質量發展。

代表企業重點產業項目簽約儀式

綜合來看，作為首屆集成電路（無錫）創新發展大會，本屆大會充分發揮了無錫市全產業鏈優勢和產業底蘊深厚的獨特優勢，帶動產業鏈上下游緊密協同、創新合作，有助于全面促進全市乃至全省、全國集成電路產業核心競爭力和整體發展水平提升，有力助推集成電路產業更好強鏈-補鏈-延鏈。 

無錫本土新晉設備企業強勢突圍

從領導的開幕致辭，行業專家的前瞻分享，以及一系列重點項目的簽約和揭牌中不難看到，集成電路產業正加速在無錫這片熱土上生根發芽。

在市場化驅動、政策引導和資本力量加持下，無錫“攻芯戰”版圖日漸生動，引領著一批新晉科技創新企業快速成長與壯大。

作為本次創新發展大會系列活動之一，第11屆(2023年)中國電子專用設備工業協會半導體設備年會暨產業鏈合作論壇，在無錫太湖國際博覽中心同期舉行。本屆設備年會以高端裝備等關鍵領域為重點，有超過380多家覆蓋全產業鏈廠商踴躍參與，既包含北方華創、盛美半導體、中微半導體、拓荊科技、上海微電子等國內知名龍頭企業，也有微導納米、邑文科技、華瑛微電子、先導智能等無錫本地企業，全面呈現了我國集成電路產業在設備、核心部件、關鍵材料等方面取得的發展成果以及無錫企業在產業鏈關鍵環節的創新探索。

據統計，本次展會超6.3萬人次專業觀眾參加，合作簽約、訂單項目紛至沓來，162家企業現場意向成交額達26.5億元，有力促進了產業鏈上下游高效對接、大中小企業協同發展，為進一步擦亮無錫集成電路“金字招牌”賦能助力。

尤為值得關注的是，在新品發布活動中，上海微電子、盛美半導體、研微半導體、微導納米、邑文科技、艾科瑞思等15家公司的新技術、新設備、新材料等方面創新成果和領先產品集中亮相，多角度體現了國內半導體設備前沿產品技術與趨勢，展現了我國企業實現高水平科技自立自強的信心與決心。

微導納米：國產ALD設備領軍企業持續突破

其中，江蘇微導納米科技股份有限公司（簡稱“微導納米”）攜重磅新品亮相，發布了iTomic? MW系列批量式原子層沉積鍍膜系統。

微導納米iTomic? MW系列

批量式原子層沉積鍍膜系統

據微導納米副董事長、首席技術官黎微明博士介紹，新品采用創新的批量型（mini-batch）腔體設計，可一次處理25片12英寸晶圓，機臺每小時的芯片產出量是單片機的6-7倍，適用于成膜鍍率低，厚度要求高，以及產能要求高的關鍵工藝及應用。且與爐管型設備相比，微導納米這一批量式ALD設備能夠在減少顆粒度的同時，避免了芯片器件在制程中的熱損傷。

同時，iTomic? MW系列產品利用其特有的流場設計，具有成膜速度快、占地面積小、產能高、使用成本低等優勢，為存儲芯片以及Micro-OLED顯示器、MEMS等提供定制化量產的解決方案。

在半導體設備中，薄膜沉積設備與光刻設備、刻蝕設備共同構成芯片制造三大核心設備，決定了芯片制造工藝的先進程度。

近年來，受益于晶圓廠擴產、先進工藝演進、3D NAND層數增加以及芯片結構復雜度提升等需求推動，薄膜沉積設備市場持續增長。據SEMI數據預測，2024年全球薄膜設備市場規模將達到280億美元。

薄膜制備工藝按照其成膜方法，可分為物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）三大類。

目前，ALD設備約占鍍膜板塊11%的市場份額，隨著摩爾定律不斷演化，ALD技術將在半導體設備中扮演越來越重要的角色，預計未來幾年復合增長率高達26.3%。而CVD設備覆蓋的工藝范圍較廣，約占鍍膜板塊57%的市場份額，復合增長率約為8.9%。未來，隨著晶圓工藝制程的推進，CVD和ALD設備或將貢獻主要增長點。

但從當前市場份額占比來看，全球薄膜沉積設備仍處于高度壟斷格局，應用材料、泛林半導體、TEL、ASM等國際大廠占據主導地位。國產設備占比較低，國產替代勢在必行，但任重道遠。

在此現狀和趨勢下，以微導納米為代表的本土設備廠商正在加快步伐，助推國產薄膜沉積設備早日突圍。

微導納米成立于2015年，多年來通過持續深耕高端薄膜沉積設備領域，已實現了多項ALD、CVD技術產業化的突破。值得關注的是，微導納米ALD產品營收規模方面位居國內同類企業第一，多款半導體ALD設備覆蓋邏輯、存儲、化合物半導體、新型顯示等細分應用領域，關鍵工藝指標已達到國際先進水平。

憑借過硬的技術實力，微導納米的成果填補了國內多項技術空白，解決了300mm晶圓28nm制程關鍵核心工藝High-k柵氧層ALD薄膜沉積這一難題，實現了國產ALD設備“從0到1”的突破，并榮獲中國“半導體創新產品”獎，是國家專精特新“小巨人”企業的杰出代表。

2022年12月23日，微導納米成功登陸科創板，成為國內ALD設備“第一股”，也是無錫首家上市的集成電路前道工藝裝備企業，在資本市場迎來了全新突破。

在保持ALD產品市場競爭力和占有率的同時，微導納米還推出CVD薄膜沉積設備，進一步打開行業發展空間，奠定了公司以ALD技術為核心，CVD等多種真空薄膜技術梯度發展的戰略定位，助力半導體產業國產化進程加速。

而本次新產品的發布，標志著微導納米在半導體薄膜沉積領域取得又一新突破，也是公司多元化布局激活增長新動能的關鍵一步。

對于未來發展規劃，黎微明博士指出，微導納米將持續圍繞市場需求，深化自主創新，加快核心技術攻關，進一步拓展并薄膜沉積技術的應用領域，推動高端技術裝備的國產化、產業化，力爭成為世界級的微納制造裝備領軍企業。

邑文科技：國產刻蝕設備迎來新機遇

同樣在半導體前道設備領域，無錫邑文微電子科技股份有限公司（簡稱“邑文科技”）作為本土優質廠商，也在積極布局。

邑文科技鍍膜事業部總經理劉丹在接受半導體行業觀察采訪時表示，2011年，邑文科技在無錫成立，主營產品刻蝕工藝設備和薄膜沉積工藝設備，應用于半導體前道工藝階段，尤其是化合物半導體和MEMS等特色工藝領域。目前，邑文科技自主研發的刻蝕機、去膠機、ALD、CVD等設備達到國內領先水平，2000ICP刻蝕設備獲得江蘇省首臺套裝備稱號。

在本次大會期間，邑文科技也帶來了2023年新品——第三代半導體八英寸薄膜刻蝕設備。由于SiC材料具備高硬度、高熔點、高密度等特性，在材料和芯片制備過程中，存在一些制造工藝的特殊性，需要對現有設備進行參數調整和部件優化。

邑文科技第三代半導體八英寸刻蝕設備

劉丹指出，邑文科技的第三代半導體刻蝕系列產品擁有諸多優勢，包括：高精度自動化多腔傳送平臺ICP腔體設計，工藝靈活，支持多種定制化工藝；軟件系統架構合理，操作簡單便捷，反應腔工藝套件消耗及維護成本低；全波長OES系統，適用于各種材料的傳送，整機模塊化設計，腔體配置靈活等，可廣泛應用于4英寸-12英寸硅基、第三代半導體等產線的刻蝕應用。

優勢背后，源于邑文科技的提早布局。據了解，早在2013年，邑文科技開始對第三代半導體進行研究布局，2014年就與泰科天潤及55所公司以碳化硅工藝開發為契機，進入碳化硅領域布局。長期以來，邑文科技借助原始成熟業務累計技術經驗，積蓄科研力量，深耕第三代半導體、MEMS等特色工藝領域，推出了適用于包括碳化硅、氮化鎵在內的第三代半導體材料的刻蝕設備，滿足行業客戶對工藝設備的要求。

眾所周知，刻蝕設備作為半導體產線的核心裝備之一，其結構復雜程度僅次于光刻機。

近年來，隨著芯片工藝制程升級，光刻機受光波長限制，關鍵尺寸無法滿足要求，必須采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現更小的尺寸，使得刻蝕技術及相關設備的重要性進一步提升。研究機構Transparency Market Research不久前表示，2022年全球半導體蝕刻設備市場價值約為113億美元，預計從2023年到2031年將以7.6%的復合年增長率增長，2031年達到217億美元，市場空間廣闊。

然而，刻蝕設備行業集中度高，行業壁壘顯著。全球刻蝕機市場長期被泛林半導體、東京電子、應用材料等行業巨頭占據。

但最近幾年來，隨著中微公司、北方華創的國內設備巨頭的不斷突破，以及包括邑文科技在內的新晉企業的持續發力，國內刻蝕設備企業在成熟制程，甚至是先進制程領域已有比較充分的技術積累和工藝經驗，能夠完成更大范圍的國產替代，潛在市場份額更大。

同時，由于海外設備的供應風險，本土企業自主可控意識提升的情況下，國內晶圓廠將更依賴國產刻蝕設備，設備國產化率將持續走高，為國產刻蝕設備邁向高端提供了機遇。

另一方面，除了當前國產替代的時代機遇之外，劉丹向筆者表示，就近服務、客制化程度高以及差異化競爭和性價比高也是邑文科技與國外大廠競爭的關鍵優勢所在。

就近服務：邑文科技更貼近本土客戶和市場，可以通過快速響應和現場服務速度應對客戶端任何時段的服務需求，以完善的服務流程確保服務質量。同時，邑文科技還有豐富的設備及工藝開發技術經驗，能為客戶提供多領域設備工藝培訓。

定制化服務：邑文科技在制造設備的過程中更加注重客戶需求，可以根據客戶的不同要求進行定制化設計和制造，以滿足不同客戶的不同需求。這也使得國產設備的適應性更強，可以在不同的加工環境中發揮更好的作用。

差異化競爭：抓住特色工藝市場，滿足客戶翻新改造的差異化需求，同時借助原始業務累計客戶群體，快速推進新產品新技術的市場化進程，收集終端用戶的使用數據和反饋，不斷優化和完善產品的設計和制造，形成了在特色工藝領域深厚的積累并向自研設備轉型。

性價比高：相對于進口設備，國產廠商制造成本相對較低，設備價格更加實惠。同時，邑文科技還在持續提升的備件國產化率為客戶端備品備件的需求奠定基礎，備品備件率達到95%以上。

此外，在人才培養方面，邑文科技以企業、高校、科研機構共建的聯合實驗室為核心依托，建立產學研相互優勢整合的人才培養機制，為企業持續的技術創新提供研發新生力量。

諸多優勢加持下，邑文科技不斷創新發展，在自研技術方面實現了一系列突破。據了解，目前邑文科技已經申請了專利224件專利，擁有授權專利160件，獲得了35件軟件著作權。公司在審專利54項，其中發明專利50項，實用新型3項，PCT 1件。知識產權的基礎為邑文科技打造自主知名品牌做了較好的鋪墊。

未來，邑文科技將持續不斷地研發自主知識產權技術，促進工藝提升，探索行業未來發展前沿技術，引領行業技術發展。

此外，在展覽期間，場館內還同步舉辦了半導體設備年會峰會及專題論壇，邀請到了一眾產業界高管和學術界代表共同探討當下半導體設備、核心部件以及材料亟待解決的問題，從宏觀趨勢到技術難點，全方位展現了半導體產業面臨的機遇和挑戰。同時也為業界搭建起一個技術交流、經貿洽談、市場推廣的友好平臺，幫助產業各細分領域參展商與現場潛在客戶實現深入交流及高效合作。

無錫集成電路產業的實力與努力

不難看到，以微導納米、邑文科技為代表的無錫本土集成電路企業正在迸發出新的市場活力與發展潛力。

而無錫作為國內集成電路產業主要發源地之一，半個多世紀以來專注強“芯”，除了一批新晉企業之外，早已涌現出華潤微電子、中科芯、長電科技、SK海力士、華虹無錫、海太半導體、中環領先、卓勝微等一大批在業界有影響力的龍頭企業和單打冠軍企業。

從產業鏈各環節來看，無錫是國內集成電路產業少有的涵蓋研發設計、制造、封裝測試、裝備材料、支撐服務等環節的完整產業鏈的城市。

具體來看，無錫在設計業發展十分迅速，擁有一批掌握核心技術的上市企業，其中卓勝微是全省首家上市的設計企業，為國內射頻芯片龍頭企業；芯朋微、力芯微已在科創板上市；新潔能則在上證所主板上市。

制造業規模龐大，無錫晶圓制造業開創了國內代工先河，全省規模最大的10家晶圓制造企業有7家在無錫，分別為SK海力士、華潤微、無錫華虹、海辰半導體、江陰新順、中微晶圓、東晨電子。

同時，無錫在封裝測試業的規模、技術水平均處于全國領先，江蘇長電、全訊射頻、海太半導體、盛合晶微等4家企業位居全省前十，其中江蘇長電位居全國第一、全球第三。在核心技術攻關方面，無錫建有國家集成電路特色工藝及封裝測試創新中心。

支撐業方面，無錫支撐配套業涵蓋了集成電路專用裝備、核心零部件以及原材料的眾多門類，并在多個細分領域取得領先地位，如江陰地區的化學試劑業為全國第一；微導納米、邑文科技等自主研發的薄膜沉積設備、刻蝕設備等達到國內領先水平。

據數據統計，2022年，無錫市集成電路產業規模達到2091億元，同比增長15.2%。今年1-6月份，無錫市集成電路列統規上企業219家，實現產值1065.48億元，同比增長9.5%。目前，無錫集成電路產業規模占全省1/2、全國1/8，龍頭企業集聚發展，14家上市企業、34家國家級專精特新“小巨人”企業，超300家高新技術企業，預計2025年全市集成電路產業規模將超2800億元。

回溯無錫集成電路產業的發展歷程，從生產出中國第一塊超大規模商用集成電路，到成為集成電路行業的“黃埔軍校”，再到集成電路全產業鏈發展，每個步伐都標注著無錫“芯”的奮進與創新。

當然，集成電路產業集群的建設不是一蹴而就，豐碩成果的背后是無錫一直以來在產業生態構建、政策支持、招商引資等方面做出的不懈努力。

在產業生態方面，無錫先后獲批國家集成電路設計產業化基地（全國共8家）、國家微電子高技術產業基地（全國共2家）、國家“芯火”雙創基地（地級市唯一），致力于以高水平支撐體系為產業發展賦能。

目前無錫已建設國家級創新載體19個，省級公共服務平臺60家；著力打造13個特色園區，持續推動產業集聚發展。同時，無錫創新創業人才云集，建設高端人才團隊50個，匯聚“專精尖缺”各類產業人才達15萬人。

政策方面，無錫在2016年首次出臺集成電路專項政策，后續不斷迭代升級，陸續制定出臺了《關于加快建設具有國際影響力的集成電路地標產業的若干政策》、《無錫市集成電路產業集群發展三年行動計劃（2023—2025年）》等系列政策，從支持產業發展壯大、企業創新發展、項目加快建設、人才引進培育、產業協同發展、產業環境提優等多方面制定了政策意見，著力注重集成電路產業發展的系統性、針對性和創新性。

同時，無錫也更加注重拿出“真金白銀”，加大補貼力度。今年6月推出的新政將專項資金提高3倍，增至3億元，將有力支撐無錫建設具有國際影響力和核心競爭力的集成電路地標產業集群，引領全產業鏈高質量發展。

在政策鼓勵和營商環境的有力加持下，一系列重點項目也正在持續助推無錫集成電路攀升產業鏈高端。2023年，無錫握有華虹制造、中環領先二期、長電微電子微系統制造、盛合晶微三維多芯片封裝等一批新建在建項目，全年總投資超1700億元。

重大項目、龍頭企業頻頻“加碼”投資無錫，其背后邏輯不難分析，一方面與產業導向高度契合。近年來無錫市把集成電路產業作為戰略性新興產業重點發展，全方位提供產業“生態土壤”，為集成電路企業提供了發展的沃土，促成了“大樹能扎根、小樹可成長”的良好發展局面。

另一方面，自然也離不開無錫市各級政府提供的“無難事、悉心辦”的營商環境。正如市長趙建軍所言，對于集成電路這一“王牌”產業，無錫市致力于提供最優質的資源、最優惠的政策和最高效的服務，以“軟實力”支撐“硬發展”，用“硬舉措”保障“軟實力”。

再結合到本次大會，遵循辦好一個展，帶活一條“鏈”的目標，2023集成電路（無錫）創新發展大會通過搭建“會展+產業+招商引資”會客廳平臺，進一步為集成電路產業合作、商務洽談、成果展示等提供了有效對接，帶動產業鏈上下游協同創新，推動產業高質量發展，為全市、全省、全國集成電路產業注入“芯”動能。

結語

“到2025年，力爭建成具有國際影響力的集成電路地標產業集群”，這是無錫為自己定下的遠景目標，更是無錫大力發展集成電路的決心和姿態。而這背后亦是無錫立足產業基礎和技術創新優勢的自信自強。

未來，無錫將推進“雙中心”建設，支持國家集成電路特色工藝及封裝測試創新中心做大做強的同時，加快在信創芯片生態圈、車規級芯片創新圈、高端功率半導體產業鏈、第三代半導體全產業鏈“兩圈兩鏈”領域的快速布局，精準發力。

同時，將持續深化設計企業與制造企業、材料裝備與制造企業、本地零部件中小企業與裝備企業、資本與產業“四個對接”，推動集成電路產業鏈協同創新。

諸此種種，這些新的產業政策、布局和目標推動著未來無錫集成電路產業迎來新發展浪潮。

轉自半導體行業觀察，侵刪